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大強度高速中性子ビームコース

強い高速の単色中性子ビームを生成して、集積回路の中性子に対する耐性の加速試験や、中性子で誘起される核反応の研究を行うための装置です。

半導体集積回路は線幅が10億分の1メートル以下まで微細化が進み、放射線による影響を受け易くなっています。これらは人工衛星に搭載される特殊機器ばかりでなく、日常の環境においても深刻な問題となってきます。次世代の回路では、宇宙線の高速中性子成分が最も大きな影響を与えると言われており、大強度の中性子ビームを使って誤動作の加速テストのできる施設が求められています。このコースは2005年に新たに建設されましたが、装置の配置を工夫して中性子生成ターゲットから照射体までの距離を縮め、負イオン加速による大強度ビームと組み合わることで、世界最高強度を達成しています。

大強度高速中性子ビームコースの概略